64-1475-26 [Dihentikan]IRF520NSTRLPBF N-Channel MOSFET, 9,7 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRF520NSTRLPBF
Fitur
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon. Rentang infineon dari energi HEXFET® MOSFET termasuk perangkat saluran N dalam permukaan dan paket yang ditambahkan. Dan faktor-faktor bentuk yang dapat menangani hampir semua tata letak papan dan tantangan desain termal. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas: 1set(800bagian)
- Tipe Saluran:N
- Kondisi Berkelanjutan Maksimal Saat Ini:9.7 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 100 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:200 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 4V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 48 W
- Jumlah Elemen per Chip:1
- KODE No.:165-5891
| Perintah No. | 64-1475-26 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF520NSTRLPBF | |
| Harga standar |
JPY: 51,080
USD: 320.41
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(800pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]IRF520NSTRLPBF N-Channel MOSFET, 9,7 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRF520NSTRLPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1475/26/64147526.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)