64-1472-34 [Dihentikan]STMicroelectronics STGWT80H65FB IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin KE-3P STGWT80H65FB
Fitur
- IGBT Discretes, STMicroelektronika
Spec
- Kuantitas: 1set(30bagian)
- Pengumpul Berkelanjutan Maksimum Saat ini:120 A
- Voltase Emitter Pengumpul Maksimum: 650 V
- Voltase Emitor Maksimum: ± 20V
- Pengeluaran Daya Maksimum: 469 W
- Tipe Paket:TO-3P
- Jenis Penpasang: Lubang Lewat
- Tipe Saluran:N
- Jumlah Pin: 3
- Kecepatan Pengalihan: 1MHz
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Panjang:15,8 mm
- Lebar:5mm
- Tinggi:20,1 mm
- Dimensi: 15,8 x 5 x 20,1mm
- Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
- KODE No.:168-8742
| Perintah No. | 64-1472-34 | |
|---|---|---|
| Model No. | STGWT80H65FB | |
| Harga standar |
JPY: 34,700
USD: 217.66
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(30pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]STMicroelectronics STGWT80H65FB IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin KE-3P STGWT80H65FB](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1472/34/64147234.jpg?v=897ccfaa5270bed4dad0662a8ca3207d7ee0ddc44)