64-1397-85 SQD19P06-60L_GE3 P-Channel MOSFET, 11 A, 60 V SQ Rugged, 3-Pin DPAK Vishay SQD19P06-60L_GE3
Fitur
- P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1set(2000potongan)
- Tipe Saluran:P
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:11 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 60 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:125 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.5V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:DPAK (TO-252)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 3
- Mode Saluran:Peningkatan
- Pengeluaran Daya Maksimum: 46 W
- Jumlah Elemen per Chip:1
- KODE No.:145-2756
| Perintah No. | 64-1397-85 | |
|---|---|---|
| Model No. | SQD19P06-60L_GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 293,000
USD: 1,837.91
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(2000pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|