64-1389-28 [Dihentikan]SI4712 DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 14,6 A, 30 V SkyFET, 8-Pin SOIC Vishay SI4712DY-T1-GE3
Fitur
- N-Channel MOSFET, Plus Schottky Terpadu (SkyFET®), Vishay Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1set(20bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:14.6 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:16,5 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 5 W
- Materi Transistor: Si
- KODE No.:818-1289
| Perintah No. | 64-1389-28 | |
|---|---|---|
| Model No. | SI4712DY-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 1,820
USD: 11.42
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(20pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]SI4712 DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 14,6 A, 30 V SkyFET, 8-Pin SOIC Vishay SI4712DY-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1389/28/64138928.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)