64-1350-85 [Dihentikan]SI4666 DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 16,5 A, 25 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4666DY-T1-GE3
Fitur
- N-Channel MOSFET, 8V sampai 25V, Visual Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1set(20bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:16.5 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:25 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:14 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 0.6V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-12 V, +12 V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 5 W
- Lebar:4mm
- KODE No.:812-3249
| Perintah No. | 64-1350-85 | |
|---|---|---|
| Model No. | SI4666DY-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 1,300
USD: 8.16
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(20pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]SI4666 DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 16,5 A, 25 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4666DY-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1350/85/64135084.jpg?v=20b7a9b3a86579044240c5e94ccf1e485bab9e13)