64-1308-89 ［Dihentikan］2N7002WN通道MOSFET, 115 mA, 60 V,3引脚SOT-323安森美半导体 2N7002W
Fitur
- 增强模式N沟道MOSFET,飞兆半导体。增强模场效应晶体管 (FET) 采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺被设计成最小化通态电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
Spec
- 数量:1套 (100个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:115毫安
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:13.5Ω
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOT-323 (SC-70)
- 安装类型:表面安装
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- 最大功耗:200 mW
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:805-1144
| Perintah No. | 64-1308-89 | |
|---|---|---|
| Model No. | 2N7002W | |
| Harga standar |
JPY: 1,340
USD: 8.41
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| Kuantitas | 1set(100pieces) | |
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| Saham di Jepang | - | |