64-1272-65 ［Dihentikan］PADA Semikonduktor NGTB30N135IHRWG IGBT, 60 A 1350 V, 3-Pin KE-247 NGTB30N135IHRWG
Fitur
- IGBT Discretes, PADA Semikonduktor. Gerbang Bipolar Transistor (IGBT) untuk penggerak motor dan aplikasi peralihan tinggi lainnya.
Spec
- Kuantitas:1potongan
- Pengumpul Berkelanjutan Maksimum Saat Ini:60 A
- Voltase Emitter Pengumpul Maksimum:1350 V
- Voltase Emitor Maksimum: ± 20V
- Pengeluaran Daya Maksimum: 394 W
- Tipe Paket:TO-247
- Jenis Penpasang: Lubang Lewat
- Tipe Saluran:N
- Jumlah Pin: 3
- Kecepatan Pengalihan: 1MHz
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Panjang:16,25 mm
- Lebar:5.3 mm
- Tinggi:21,4 mm
- Dimensi:16,25 x 5,3 x 21,4mm
- Suhu Operasi Minimum:-40 ° C
- KODE No.:796-1343
| Perintah No. | 64-1272-65 | |
|---|---|---|
| Model No. | NGTB30N135IHRWG | |
| Harga standar |
JPY: 450
USD: 2.82
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1piece | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |