64-0684-89 ［Dihentikan］SIHP12N60E-GE3 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V E Series, 3-Pin KE-220 AB Vishay SIHP12N60E-GE3
Fitur
- N-Channel MOSFET, E Seri, Gambar Merit Rendah, Vishay Semikonduktor. E Series Power MOSFET dari Vishay adalah alat transistor tegangan tinggi yang memiliki daya tahan maksimum yang sangat rendah, angka keuntungan yang rendah dan pergantian yang cepat. Peraturan ini tersedia dalam berbagai peringkat yang ada. Aplikasi umum termasuk server dan pasokan daya telekomunikasi, lampu LED, konverter flyback, koreksi faktor daya (PFC), serta pengubahan ketersediaan daya mode (SMPS). Fitur. Format nilai rendah (FOM) RDS(on) x Qg Rendah kapasitansi masukan (Ciss) Rendah on-resistensi (RDS) - Ultra-rendah biaya gerbang (Qg) Dikurangi cepat pergantian beralih dan penghentian konduktivitas
Spec
- Kuantitas:1tas(5potongan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:12 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 600 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:380 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-30 V, +30 V
- Tipe Paket:TO-220AB
- Jenis Penpasang: Lubang Lewat
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 147 W
- Suhu Operasi Maksimum:+150 ° C
- KODE No.:787-9428
| Perintah No. | 64-0684-89 | |
|---|---|---|
| Model No. | SIHP12N60E-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 1,560
USD: 9.79
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(5pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |