ON Semiconductor

64-0653-12 PADA Transistor NPN 10LT3G, 500 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 MMBTH10LT3G

Fitur

  • Manufacturer Part Nos dengan prefiks NSV memenuhi syarat secara otomatis ke standar AEC-Q101. RF Bipolar Transistor, Pada Semikonduktor

Spec

  • Kuantitas: 1tas(50 bagian)
  • Tipe Transistor: NPN
  • Maksimum DC Collector Current:500 mA
  • Voltase Pengumpulkan Maksimum:25 V
  • Tipe Paket:SOT-23
  • Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
  • Maksimum Power Dissipasi: 225 mW
  • Perolehan DC Minimum: 60
  • Konfigurasi Transistor:Tunggal
  • Voltase Dasar Pengumpul Maksimum:30 V dc
  • Voltase Dasar Penghubung Maksimum: 25 V
  • Frekuensi Operasi Maksimum: 100 MHz
  • Jumlah Pin: 3
  • Jumlah Elemen per Chip:1
  • Lebar:2,64 mm
  • KODE No.:781-4297
  •  
Perintah No. 64-0653-12
Model No. MMBTH10LT3G
Harga standar JPY: 530 USD: 3.33
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Kuantitas 1bag(50pieces)
Saham di Jepang
Saham Pemasok