64-0519-03 ［Dihentikan］SPB18P06PGATMA1 MOSFET, 18,6 A, 60 V SIPMOS, 3-Pin D2PAK Infineon SPB18P06PGATMA1
Fitur
- Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET. Saluran P-channel P-channel Infineon SIPMOS ® memiliki beberapa fitur yang mungkin termasuk mode peningkatan, saluran pembuangan kontinu hingga saat ini hingga -80A plus rentang suhu operasi yang luas. Transistor Listrik SIPMOS bisa digunakan dalam berbagai aplikasi termasuk Telecom, Mobilitas, Notebook, DC/DC serta industri otomotif. · AEC Q101 Memenuhi Syarat (Silakan lihat lembar data) · Pb-free prospek menurun, RoHS sesuai
Spec
- Kuantitas: 1set(1000potongan)
- Tipe Saluran:P
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:18.6 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 60 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:130 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 4V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2.1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 81,1 W
- Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
- KODE No.:165-6651
| Perintah No. | 64-0519-03 | |
|---|---|---|
| Model No. | SPB18P06PGATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 68,600
USD: 430.31
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(1000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |