64-0468-55 ［Dihentikan］FCD9N60NTM N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V SupreMOS, DPAK PADA Semikonduktor FCD9N60NTM
Fitur
- SupreMOS® MOSFET, Peri Semikonduktor. Fairchild membawa generasi baru 600V Super-Junction MOSFET - SupreMOS®. Kombinasi dari RDS(on) rendah dan total biaya gerbang membawa 40 persen Gambaran Rendah Merit (FOM) dibandingkan dengan MOSFET™ Fairchild 600V SuperFET™. Selain itu, keluarga SupreMOS menawarkan biaya gerbang rendah untuk RDS yang sama (on), menyediakan kinerja penting untuk beralih dan mengirim 20 persen lebih sedikit mengalihkan dan kerugian konduksi, mengakibatkan efisiensi yang lebih tinggi. Fitur-fitur ini memungkinkan pasokan daya untuk memenuhi klasifikasi ENERGY STAR® 80 PLUS Gold untuk komputer desktop dan klasifikasi Platinum untuk server.
Spec
- Kuantitas:1potongan/tas
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Maksimum: 9 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 600 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:390 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum:3V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-30 V, +30 V
- Tipe Paket:DPAK (TO-252)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 92,6 W
- Tinggi:2,39 mm
- KODE No.:739-6128
| Perintah No. | 64-0468-55 | |
|---|---|---|
| Model No. | FCD9N60NTM | |
| Harga standar |
JPY: 230
USD: 1.44
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1piece/bag | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |