64-0340-99 ［Dihentikan］SI4900DY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 4,3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4900DY-T1-GE3
Fitur
- Dual N-Channel MOSFET, Visual Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1tas(2500potongan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:4.3 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 60 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:58 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2 W
- Waktu Penundaan Matikan Biasa:15 ns, 20 ns
- KODE No.:165-3003
| Perintah No. | 64-0340-99 | |
|---|---|---|
| Model No. | SI4900DY-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 305,000
USD: 1,913.19
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(2500pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |