64-0189-99 [Dihentikan]FQP22N30 N-Channel MOSFET, 21 A, 300 V QFET, 3-Pin-KE-220AB PADA Semiconductor FQP22N30
Fitur
- QFET® N-Channel MOSFET, 11A sampai 30A, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor adalah planet QFET® yang baru, MOSFET menggunakan teknologi kepemilikan tingkat lanjut, memberikan kinerja operasi terbaik dalam kelas untuk berbagai aplikasi, termasuk penyediaan energi, PFC (Power Factor Corporation), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), penerangan, dan kontrol gerakan. Mereka menawarkan kerugian negara berkurang dengan cara menurunkan RDS (on), dan mengurangi kerugian karena menurunkan tingkat pengembalian (Qg) dan kapasitas output (Coss). Dengan menggunakan teknologi proses QFET® canggih, Fairchild dapat menawarkan figur keuntungan yang lebih baik (FOM) dibanding perangkat planar MOSFET yang bersaing.
Spec
- Kuantitas: 1tas(50 bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:21 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:300 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:160 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum:3V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-30 V, +30 V
- Tipe Paket:TO-220AB
- Jenis Penpasang: Lubang Lewat
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 170 W
- Dimensi: 10,1 x 4,7 x 9,4 mm
- KODE No.:145-4523
| Perintah No. | 64-0189-99 | |
|---|---|---|
| Model No. | FQP22N30 | |
| Harga standar |
JPY: 14,490
USD: 90.83
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(50pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]FQP22N30 N-Channel MOSFET, 21 A, 300 V QFET, 3-Pin-KE-220AB PADA Semiconductor FQP22N30](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0189/99/64018999.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)