64-0188-28 ［Di luar saham］FQB4N80TM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V QFET, 3-Pin D2PAK PADA Semikonduktor FQB4N80TM
Fitur
- QFET® N-Channel MOSFET, sampai 5.9A, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor adalah planet QFET® yang baru, MOSFET menggunakan teknologi kepemilikan tingkat lanjut, memberikan kinerja operasi terbaik dalam kelas untuk berbagai aplikasi, termasuk penyediaan energi, PFC (Power Factor Corporation), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), penerangan, dan kontrol gerakan. Mereka menawarkan kerugian negara berkurang dengan cara menurunkan RDS (on), dan mengurangi kerugian karena menurunkan tingkat pengembalian (Qg) dan kapasitas output (Coss). Dengan menggunakan teknologi proses QFET® canggih, Fairchild dapat menawarkan figur keuntungan yang lebih baik (FOM) dibanding perangkat planar MOSFET yang bersaing.
Spec
- Kuantitas:1potongan/tas
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:3.9 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 800 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 3.6 Ω
- Batas Ambang Gerbang Minimum:3V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-30 V, +30 V
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 3,13 W
- Waktu Penundaan Matikan Tipikal:35 ns
- KODE No.:671-0908
| Perintah No. | 64-0188-28 | |
|---|---|---|
| Model No. | FQB4N80TM | |
| Harga standar |
JPY: 530
USD: 3.33
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1piece/bag | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |