64-0132-66 ［Dihentikan］IRF7832 PBF N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF7832PBF
Fitur
- N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon. Rentang infineon dari energi HEXFET® MOSFET termasuk perangkat saluran N dalam permukaan dan paket yang ditambahkan. Dan faktor-faktor bentuk yang dapat menangani hampir semua tata letak papan dan tantangan desain termal. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas:1tas(5potongan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:20 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:4 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.32V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.39V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2.5 W
- Dimensi:5 x 4 x 1.5mm
- KODE No.:639-1885
| Perintah No. | 64-0132-66 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF7832PBF | |
| Harga standar |
JPY: 860
USD: 5.40
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(5pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |