64-0105-79 ［Dihentikan］IRF7473 PBF N-Channel MOSFET, 6,9 A, 100 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF7473PBF
Fitur
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon. Rentang infineon dari energi HEXFET® MOSFET termasuk perangkat saluran N dalam permukaan dan paket yang ditambahkan. Dan faktor-faktor bentuk yang dapat menangani hampir semua tata letak papan dan tantangan desain termal. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas:1tas(5potongan)
- Tipe Saluran:N
- Kondisi Berkelanjutan Maksimal Saat Ini:6.9 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 100 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:26 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 5.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:3.5V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2.5 W
- Waktu Penundaan Matikan Tipikal:29 ns
- KODE No.:543-2389
| Perintah No. | 64-0105-79 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF7473PBF | |
| Harga standar |
JPY: 690
USD: 4.33
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(5pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |