64-0103-86 ［Dihentikan］Dual P-Channel MOSFET IRF7104PBF, 2.3 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF7104PBF
Fitur
- P-Channel Power MOSFET 12V ke 20V, Infineon. Rentang terpisah dari HEXFET® tenaga HSFET® Infineon termasuk perangkat saluran-P dalam jumlah permukaan dan paket yang ditambahkan dan bentuk faktor yang dapat mengatasi hampir semua tata letak papan dan tantangan desain panas. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas:1potongan/tas
- Tipe Saluran:P
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:2.3 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:20 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:250 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 3V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-12 V, +12 V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Terisolasi
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2 W
- Dimensi:5 x 4 x 1.5mm
- KODE No.:540-9626
| Perintah No. | 64-0103-86 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF7104PBF | |
| Harga standar |
JPY: 110
USD: 0.69
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1piece/bag | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |