64-0077-40 NTJD1155LT1G Dual N/P-Channel MOSFET, 1.3 A, 8 V, 6-Pin SOT-363 PADA Semikonduktor NTJD1155LT1G
Fitur
- Dual N/P-Channel MOSFET, PADA Semikonduktor. NTJD1155L adalah saluran ganda MOSFET. Menampilkan dua saluran P dan N dalam satu paket, MOSFET ini brilian untuk sinyal kontrol rendah, tegangan baterai rendah dan arus muatan tinggi. Kanal N-channel menampilkan perlindungan ESD internal dan dapat digerakkan oleh sinyal logika serendah 1.5V, sementara P-Channel dirancang untuk digunakan pada aplikasi peralihan muatan. Saluran P juga dirancang dengan teknologi parit ON semi-S.
Spec
- Kuantitas: 1set(20bagian)
- Tipe Saluran:N, P
- Kondisi Berkelanjutan Maksimal Saat Ini:1.3 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 8 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:320 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:+8 V
- Tipe Paket:SOT-363 (SC-88)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 6
- Mode Saluran:Peningkatan
- Maksimum Power Dissipasi: 400 mW
- Materi Transistor: Si
- KODE No.:780-0605
| Perintah No. | 64-0077-40 | |
|---|---|---|
| Model No. | NTJD1155LT1G | |
| Harga standar |
JPY: 930
USD: 5.83
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(20pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|