64-0077-33 NTJD5121NT1G-Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 PADA Semikonduktor NTJD5121NT1G
Fitur
- Dual N-Channel MOSFET, PADA Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1set(3000bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:300 mA
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 60 V
- Sumber Liputan Maksimum: 2.5 Ω
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.5V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOT-363 (SC-88)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 6
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Maksimum Power Dissipasi: 266 mW
- Khas Biaya Gerbang @ Vgs:0.9 nC @ 4.5 V
- KODE No.:178-7611
| Perintah No. | 64-0077-33 | |
|---|---|---|
| Model No. | NTJD5121NT1G | |
| Harga standar |
JPY: 30,300
USD: 190.06
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(3000pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|
