63-9793-99 IPD25CN10NGATMA1 N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V IPD25CN10N G, 3 + 2 Tab-Pin DPAK Infineon IPD25CN10NGATMA1
Fitur
- Infineon OptiMOS '2 Power MOSFET Keluarga. Keluarga Infineon OptiMOS disiarkan 2 N-Channel menawarkan resistensi terendah pada negara bagian dalam kelompok tegangan mereka. Seri Power MOSFET dapat digunakan dalam banyak aplikasi termasuk drive Frekuensi tinggi Telecom, Datacom, tenaga surya, tegangan rendah dan Dukungan Daya Server. Kelompok produk OptiMOS 2 berkisar dari 20V dan lagi dan menawarkan pemilihan jenis paket yang berbeda.
Spec
- Kuantitas: 1set(2500potongan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:35 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 100 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:26 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 4V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:20 V
- Tipe Paket:TO-252
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin:3 + 2 Tab
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 71 W
- Dimensi: 6,73 x 7,47 x 2,41 mm
- KODE No.:170-2266
| Perintah No. | 63-9793-99 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPD25CN10NGATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 298,000
USD: 1,869.28
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(2500pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|