63-9736-89 IKW75N65ES5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin-TO-247 IKW75N65ES5XKSA1
Fitur
- TrenchStop IGBT Transistor, 600 dan 650V. Rangkaian Transistor IGBT dari Infineon dengan rating voltase kolektor dari 600 dan 650V menampilkan teknologi TrenchStop™. Rentang ini mencakup perangkat dengan kecepatan tinggi terintegrasi, dioda antiparalel pemulihan yang cepat. Tegangan kolektif-emitor berkisar 600 hingga 650V Sangat rendah VCE duduk VCE Rendah Menonaktifkan kerugian di ekor pendek pada suhu persimpangan Rendah EMI Maximum 175°C
Spec
- Kuantitas: 1tas(10bagian)
- Maksimum Pengumpul Berkelanjutan Saat Ini:80 A
- Voltase Emitter Pengumpul Maksimum: 650 V
- Voltase Emitter Maksimum: ± 20 V, ± 30 (Sementara) V
- Pengeluaran Daya Maksimum: 395 W
- Tipe Paket:TO-247
- Jenis Penpasang: Lubang Lewat
- Tipe Saluran:N
- Jumlah Pin: 3
- Kecepatan Pengalihan: 30kHz
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Panjang:16,13 mm
- Lebar:5,21 mm
- Tinggi:21,1 mm
- Dimensi:16,13 x 5,21 x 21,1mm
- Suhu Operasi Minimum:-40 ° C
- KODE No.:144-1203
| Perintah No. | 63-9736-89 | |
|---|---|---|
| Model No. | IKW75N65ES5XKSA1 | |
| Harga standar |
JPY: 6,760
USD: 42.40
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(10pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|