63-8412-72 SIR692DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 24,2 A, 250 V, 8-Pin SO Vishay SIR692DP-T1-RE3
Fitur
- N-Channel MOSFET, TrenchFET hingga Gen III, Vishay Semiconductor
Spec
- Kuantitas: 1set(3000bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:24.2 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 250 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:67 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 4V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SO
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 104 W
- Waktu Penundaan Matikan Tipikal:14 ns
- KODE No.:134-9163
| Perintah No. | 63-8412-72 | |
|---|---|---|
| Model No. | SIR692DP-T1-RE3 | |
| Harga standar |
JPY: 613,000
USD: 3,845.19
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(3000pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|
