Vishay

63-8412-72 SIR692DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 24,2 A, 250 V, 8-Pin SO Vishay SIR692DP-T1-RE3

Fitur

  • N-Channel MOSFET, TrenchFET hingga Gen III, Vishay Semiconductor

Spec

  • Kuantitas: 1set(3000bagian)
  • Tipe Saluran:N
  • Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:24.2 A
  • Voltase Sumber Drain Maksimum: 250 V
  • Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:67 mΩ
  • Batas Ambang Gerbang Maksimum: 4V
  • Batas Ambang Gerbang Minimum:2V
  • Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
  • Tipe Paket:SO
  • Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
  • Konfigurasi Transistor:Tunggal
  • Mode Saluran:Peningkatan
  • Kategori:Power MOSFET
  • Pengeluaran Daya Maksimum: 104 W
  • Waktu Penundaan Matikan Tipikal:14 ns
  • KODE No.:134-9163
  •  
Perintah No. 63-8412-72
Model No. SIR692DP-T1-RE3
Harga standar JPY: 613,000 USD: 3,845.19
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Kuantitas 1set(3000pieces)
Saham di Jepang
Saham Pemasok