63-8412-67 ［Dihentikan］SIR626DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V TrenchFET, 8-Pin SO Vishay SIR626DP-T1-RE3
Fitur
- N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1set(3000bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:100 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 60 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:2.6 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 3.4V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SO
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 104 W
- Khas Biaya Gerbang @ Vgs:68 nC @ 10 V
- KODE No.:134-9158
| Perintah No. | 63-8412-67 | |
|---|---|---|
| Model No. | SIR626DP-T1-RE3 | |
| Harga standar |
JPY: 418,000
USD: 2,622.01
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(3000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |