63-8412-64 SI3493 DDV-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V TrenchFET, 6-Pin TSOP Vishay SI3493DDV-T1-GE3
Fitur
- P-Channel MOSFET, Parit FET Gen IV, Vishay Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1set(3000bagian)
- Tipe Saluran:P
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum: 8 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:20 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:51 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 1V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 0.4V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-8 V, +8 V
- Tipe Paket:TSOP
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 6
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 3.6 W
- Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
- KODE No.:134-9155
| Perintah No. | 63-8412-64 | |
|---|---|---|
| Model No. | SI3493DDV-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 139,000
USD: 871.91
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(3000pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|
