63-8412-63 ［Dihentikan］Dual N-Channel MOSFET SQJB42EP-T1_GE3, 30 A, 40 V TrenchFET, 8-Pin SO Vishay SQJB42EP-T1_GE3
Fitur
- Dual N-Channel MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay Semiconductor
Spec
- Kuantitas: 1set(3000bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:30 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 40 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:16 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 3.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2.5V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SO
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 48 W
- Waktu Penundaan Matikan Tipikal:21 ns
- KODE No.:134-9154
| Perintah No. | 63-8412-63 | |
|---|---|---|
| Model No. | SQJB42EP-T1_GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 196,000
USD: 1,229.46
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(3000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |