63-8399-59 Dual N-Channel MOSFET IRF7907, 9,1 A, 11 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF7907TRPBF
Fitur
- Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon. Tenaga ganda dari MOSFET mengintegrasikan dua alat HEXFET® guna menyediakan solusi untuk menghemat waktu dan hemat biaya, dengan pengalihan solusi efektif dalam rancangan kepadatan komponen yang tinggi di mana ruang dewan berada pada premi. Berbagai opsi paket tersedia dan perancang dapat memilih konfigurasi saluran Dual N.
Spec
- Kuantitas: 1set(4000potongan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Maksimum: 9.1 A, 11 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 13,7 mΩ, 20,5 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.35V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.35V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2 W
- Seri:HEXFET
- KODE No.:168-5975
| Perintah No. | 63-8399-59 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF7907TRPBF | |
| Harga standar |
JPY: 375,000
USD: 2,352.28
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(4000pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|