63-8399-19 ［Dihentikan］IPN60R1K0CEATMA1 N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V CoolMOS CE, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IPN60R1K0CEATMA1
Fitur
- Power MOS™ CE
Spec
- Kuantitas: 1set(3000bagian)
- Tipe Saluran:N
- Kondisi Berkelanjutan Maksimal Saat Ini:6.8 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 650 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 1 Ω
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 3.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2.5V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-30 V, +30 V
- Tipe Paket:SOT-223
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin:3 + Tab
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 5 W
- Khas Biaya Gerbang @ Vgs:13 nC @ 10 V
- KODE No.:168-5928
| Perintah No. | 63-8399-19 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPN60R1K0CEATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 96,500
USD: 605.32
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(3000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |