IXYS

63-8395-61 IXFN360N15T2 N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V GigaMOS TrenchT2 HiperFET, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN360N15T2

Fitur

  • Saluran N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™

Spec

  • Kuantitas: 1set(10bagian)
  • Tipe Saluran:N
  • Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:310 A
  • Voltase Sumber Drain Maksimum: 150 V
  • Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:4 mΩ
  • Batas Ambang Gerbang Maksimum: 5V
  • Batas Ambang Gerbang Minimum:2.5V
  • Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
  • Tipe Paket:SOT-227
  • Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
  • Jumlah Pin: 4
  • Mode Saluran:Peningkatan
  • Kategori:Power MOSFET
  • Pengeluaran Kekuatan Maksimum: 1.07 kW
  • Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
  • KODE No.:168-4578
  •  
Perintah No. 63-8395-61
Model No. IXFN360N15T2
Harga standar JPY: 94,300 USD: 591.52
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Kuantitas 1set(10pieces)
Saham di Jepang
Saham Pemasok