63-8351-41 ［Dihentikan］STB33N60DM2 N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V MDmesh DM2, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB33N60DM2
Fitur
- N-Channel MDmesh DM2 Seri, STMicroelectronics. MDmesh DM2 MOSFET menawarkan RDS yang rendah dan dengan perbaikan waktu pemulihan dioda untuk efisiensi, seri ini dioptimalkan untuk topologi yang dapat diubah fase secara penuh. Kemampuan tinggi dV/dt untuk meningkatkan keandalan sistem AEC-Q101 yang memenuhi syarat
Spec
- Kuantitas: 1set(1000potongan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:25 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 650 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:130 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:3V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-25 V, +25 V
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 3
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 190 W
- Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
- KODE No.:168-5887
| Perintah No. | 63-8351-41 | |
|---|---|---|
| Model No. | STB33N60DM2 | |
| Harga standar |
JPY: 467,000
USD: 2,929.37
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(1000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |