63-8348-58 ［Dihentikan］IPD80P03P4L07ATMA1 MOSFET, 80 A, 30 V OptiMOS P, 3-Pin DPAK Infineon IPD80P03P4L07ATMA1
Fitur
- Infineon OptiMOS 'P-Channel Power MOSFET'. Sumber daya ™ P-Channel Infineon dirancang untuk memberikan fitur yang ditingkatkan pada kinerja kualitas rapat. Fitur-fitur yang termasuk pengalihan kembali kerugian yang sangat rendah, daya tahan negara, peringkat Avalanche dan kualifikasi AEC untuk solusi otomotif. Aplikasi termasuk dc-dc, kontrol motor, otomotif, dan Mobilitas. Mode peningkatan Avalanche menilai pergantian rendah dan kekuatan konduktor yang kehilangan plating bebas Pb; Paket Standar yang sesuai RoHS OptiMOS™ P-Channel Series: Rentang suhu dari -55°C hingga +175°C
Spec
- Kuantitas: 1set(2500potongan)
- Tipe Saluran:P
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:80 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:12 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-16 V, +5 V
- Tipe Paket:DPAK (TO-252)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 3
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 88 W
- Materi Transistor: Si
- KODE No.:166-1147
| Perintah No. | 63-8348-58 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPD80P03P4L07ATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 224,000
USD: 1,405.09
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(2500pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |