63-8347-99 ［Dihentikan］Infineon IGB30N60H3ATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3+Tab-Pin D2PAK (TO-263) IGB30N60H3ATMA1
Fitur
- TrenchStop IGBT Transistor, 600 dan 650V. Rangkaian Transistor IGBT dari Infineon dengan rating voltase kolektor dari 600 dan 650V menampilkan teknologi TrenchStop™. Rentang ini mencakup perangkat dengan kecepatan tinggi terintegrasi, dioda antiparalel pemulihan yang cepat. Tegangan kolektif-emitor berkisar 600 hingga 650V Sangat rendah VCE duduk VCE Rendah Menonaktifkan kerugian di ekor pendek pada suhu persimpangan Rendah EMI Maximum 175°C
Spec
- Kuantitas: 1set(1000potongan)
- Pengumpul Berkelanjutan Maksimum Saat ini:30 A
- Voltase Pengumpulkan Maksimum:600 V
- Voltase Emitor Maksimum: ± 20V
- Pengeluaran Daya Maksimum: 187 W
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Tipe Saluran:N
- Jumlah Pin:3+Tab
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Panjang:10,31 mm
- Lebar:9,45 mm
- Tinggi:4,57 mm
- Dimensi:10,31 x 9,45 x 4,57mm
- Suhu Operasi Minimum:-40 ° C
- KODE No.:166-1187
| Perintah No. | 63-8347-99 | |
|---|---|---|
| Model No. | IGB30N60H3ATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 210,000
USD: 1,317.28
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(1000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |