63-8300-83 IXFN80N50N50Q3 N-Channel MOSFET, 63 A, 500 V HiperFET, Q3-Class, 4-Pin SOT-227B IXYS IXFN80N50Q3
Fitur
- N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series. IXYS Q3 kelas HiperFET™ Power MOSFET adalah cocok untuk penukaran paksa dan aplikasi mode resonansi, dan menawarkan muatan gerbang rendah dengan sangat istimewa. Perangkat ini memasukkan dioda intrinsik cepat dan tersedia di berbagai paket standar industri termasuk tipe yang terisolasi, dengan peringkat hingga 1100V dan 70A. Aplikasi umum termasuk konverter DC, pengisi daya baterai, mode-alih, dan pasokan daya moda-resonansi, DC Choppers, suhu, dan kontrol pencahayaan. Resep intrinsik cepat dioda RDS Rendah (on) dan QG (muatan gerbang) Standar Industri perlawanan gerbang intrinsik Rendah paket-paket dengan kepadatan daya tinggi
Spec
- Kuantitas: 1set(10bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:63 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 500 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:65 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 6.5V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-30 V, +30 V
- Tipe Paket:SOT-227B
- Jenis yang Dipasang:Panel Mount
- Jumlah Pin: 4
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 780 W
- Khas Biaya Gerbang @ Vgs:200 nC @ 10 V
- KODE No.:146-1760
| Perintah No. | 63-8300-83 | |
|---|---|---|
| Model No. | IXFN80N50Q3 | |
| Harga standar |
JPY: 92,600
USD: 580.86
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(10pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|