63-8220-63 [Dihentikan]Dual N-Channel MOSFET SQS944ENW-T1_GE3, 6 A, 40 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3
Spec
- Kuantitas:1tas(25 bagian)
- Tipe Saluran:N
- Maksimum Kekurangan Berkelanjutan: 6 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 40 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:40 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.5V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: ± 20 V
- Tipe Paket:1212
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 27,8 W
- Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
- KODE No.:178-3956
| Perintah No. | 63-8220-63 | |
|---|---|---|
| Model No. | SQS944ENW-T1_GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 4,440
USD: 27.85
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(25pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]Dual N-Channel MOSFET SQS944ENW-T1_GE3, 6 A, 40 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8220/63/63812764.jpg?v=20b7a9b3a86579044240c5e94ccf1e485bab9e13)