63-8178-37 ［Dihentikan］Littelfuse NGB8207ABNT4G IGBT, 50 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263) NGB8207ABNT4G
Fitur
- IGBT Discretes, PADA Semikonduktor. Gerbang Bipolar Transistor (IGBT) untuk penggerak motor dan aplikasi peralihan tinggi lainnya.
Spec
- Kuantitas: 1set(800bagian)
- Pengumpul Berkelanjutan Maksimum Saat ini:50 A
- Voltase Emitter Pengumpul Maksimum:365 V
- Voltase Emitter Gerbang Maksimum: ± 15V
- Pengeluaran Daya Maksimum: 165 W
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Tipe Saluran:N
- Jumlah Pin: 3
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Panjang:10,29 mm
- Lebar:9,65 mm
- Tinggi:4,83 mm
- Dimensi:10,29 x 9,65 x 4,83 mm
- Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
- KODE No.:171-0128
| Perintah No. | 63-8178-37 | |
|---|---|---|
| Model No. | NGB8207ABNT4G | |
| Harga standar |
JPY: 294,000
USD: 1,844.19
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(800pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |