63-8098-52 SI1029X-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-523 Vishay SI1029X-T1-GE3
Fitur
- Dual N/P-Channel MOSFET, Semikonduktor Visual
Spec
- Kuantitas: 1tas(20kepingan)
- Tipe Saluran:N, P
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:190 mA, 300 mA
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 60 V
- Maksimum Sumber Ketahanan Sumber: 3 Ω, 8
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOT-523 (SC-89)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 6
- Mode Saluran:Peningkatan
- Maksimum Power Dissipasi: 250 mW
- Jumlah Elemen per Chip:2
- KODE No.:787-9055
| Perintah No. | 63-8098-52 | |
|---|---|---|
| Model No. | SI1029X-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 1,720
USD: 10.79
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(20pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|