63-8094-53 NTLJD3119 CTBG Dual N/P-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-Pin WDFN PADA Semikonduktor NTLJD3119CTBG
Fitur
- Dual N/P-Channel MOSFET, PADA Semikonduktor. NTJD1155L adalah saluran ganda MOSFET. Menampilkan dua saluran P dan N dalam satu paket, MOSFET ini brilian untuk sinyal kontrol rendah, tegangan baterai rendah dan arus muatan tinggi. Kanal N-channel menampilkan perlindungan ESD internal dan dapat digerakkan oleh sinyal logika serendah 1.5V, sementara P-Channel dirancang untuk digunakan pada aplikasi peralihan muatan. Saluran P juga dirancang dengan teknologi parit ON semi-S.
Spec
- Kuantitas: 1tas(10bagian)
- Tipe Saluran:N, P
- Arus Drain Maksimum: 4.1 A, 4.6 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:20 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:120 mΩ, 200 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-8 V, +8 V
- Tipe Paket:WDFN
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 6
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2.3 W
- Waktu Penundaan Pengaktifan Khas:3.8 ns, 5.2 ns
- KODE No.:780-0655
| Perintah No. | 63-8094-53 | |
|---|---|---|
| Model No. | NTLJD3119CTBG | |
| Harga standar |
JPY: 1,300
USD: 8.16
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(10pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|