63-8090-99 SIRA06DP-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V TrenchFET, PowerPAK SO Vishay SIRA06DP-T1-GE3
Fitur
- N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1set(3000bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:40 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 3,5 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-16 V, +20 V
- Tipe Paket:PowerPAK SO
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Pengeluaran Daya Maksimum: 62,5 W
- Materi Transistor: Si
- KODE No.:165-7074
| Perintah No. | 63-8090-99 | |
|---|---|---|
| Model No. | SIRA06DP-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 264,000
USD: 1,656.00
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(3000pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|