63-8058-22 ［Dihentikan］PADA Semikonduktor NGTB15N120IHWG IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin-KE-247 NGTB15N120IHWG
Fitur
- IGBT Discretes, PADA Semikonduktor. Gerbang Bipolar Transistor (IGBT) untuk penggerak motor dan aplikasi peralihan tinggi lainnya.
Spec
- Kuantitas: 1set(30bagian)
- Pengumpul Berkelanjutan Maksimum Saat ini:30 A
- Voltase Emitter Pengumpul Maksimum:1200 V
- Voltase Emitor Maksimum: ± 20V
- Pengeluaran Daya Maksimum: 278 W
- Tipe Paket:TO-247
- Jenis Penpasang: Lubang Lewat
- Tipe Saluran:N
- Jumlah Pin: 3
- Kecepatan Pengalihan: 1MHz
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Panjang:16,25 mm
- Lebar:5.3 mm
- Tinggi:21,4 mm
- Dimensi:16,25 x 5,3 x 21,4mm
- Suhu Operasi Minimum:-40 ° C
- KODE No.:145-3473
| Perintah No. | 63-8058-22 | |
|---|---|---|
| Model No. | NGTB15N120IHWG | |
| Harga standar |
JPY: 9,830
USD: 61.66
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(30pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |