63-7803-15 IPD30N10S3L34ATMA1 N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V OptiMOS T, 3-Pin DPAK Infineon IPD30N10S3L34ATMA1
Fitur
- Infineon OptiMOS ‘Power MOSFET’. Produk OptiMOS™ tersedia dalam paket kinerja tinggi untuk menangani aplikasi yang paling menantang yang telah memberikan keleluasaan penuh pada ruang-ruang yang terbatas. Produk-produk Infineon ini dirancang untuk memenuhi dan melampaui efisiensi energi serta kebutuhan kepadatan daya dari standar regulasi tegangan generasi berikutnya yang dipertajam dalam aplikasi komputasi. Saluran-N - Mode peningkatan Otomotif AEC Q101 memenuhi syarat MSL1 hingga 260°C di atas 175°C di produk yang sesuai dengan RoHS)
Spec
- Kuantitas: 1set(2500potongan)
- Tipe Saluran: N
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 30 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 100 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 42 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2,4 V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 1,2 V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -20 V, +20 V
- Tipe Paket: DPAK (TO-252)
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin : 3
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 57 W
- Suhu Operasi Maksimum: +175 ° C
- KODE No.:911-4997
| Perintah No. | 63-7803-15 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPD30N10S3L34ATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 306,000
USD: 1,919.46
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(2500pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|