63-7032-53 [Dihentikan]RQ3E120ATTB P-Channel MOSFET, 39 A, 30 V RQ3E120AT, HSMT ROHM 8-Pin RQ3E120ATTB
Fitur
- P-channel MOSFET transistor, ROHM
Spec
- Kuantitas: 1tas(10bagian)
- Tipe Saluran: P
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 39 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 11,3 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2,5 V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -20 V, +20 V
- Tipe Paket: HSMT
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin : 8
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET, Beralih MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 20 W
- Jumlah Elemen per Chip: 1
- KODE No.:133-3293
| Perintah No. | 63-7032-53 | |
|---|---|---|
| Model No. | RQ3E120ATTB | |
| Harga standar |
JPY: 570
USD: 3.58
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(10pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]RQ3E120ATTB P-Channel MOSFET, 39 A, 30 V RQ3E120AT, HSMT ROHM 8-Pin RQ3E120ATTB](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/7032/53/63703253.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)