63-7032-52 ［Dihentikan］RQ3E080GNTB N-Channel MOSFET, 18 A, 30 V RQ3E080GN, HSMT ROHM 8-Pin RQ3E080GNTB
Fitur
- N-channel MOSFET transistor, ROHM
Spec
- Kuantitas:1tas(25 bagian)
- Tipe Saluran: N
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 18 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 31,2 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2,5 V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 1,2 V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -20 V, +20 V
- Tipe Paket: HSMT
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor: Tunggal
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET, Beralih MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 14 W
- Dimensi: 3,3 x 3,1 x 0,85 mm
- KODE No.:133-3292
| Perintah No. | 63-7032-52 | |
|---|---|---|
| Model No. | RQ3E080GNTB | |
| Harga standar |
JPY: 1,000
USD: 6.27
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(25pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |