63-7019-70 [Dihentikan]IPD65R650CEAUMA1 N-Channel MOSFET, 10.1 A, 700 V CoolMOS CE, 3-Pin DPAK Infineon IPD65R650CEAUMA1
Fitur
- Infineon CoolMOS CE Power MOSFET
Spec
- Kuantitas: 1tas(10bagian)
- Tipe Saluran: N
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 10,1 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 700 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 650 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 3,5 V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 2,5 V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -30 V, +30 V
- Tipe Paket: DPAK (TO-252)
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin : 3
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 86 W
- Jumlah Elemen per Chip: 1
- KODE No.:130-0904
| Perintah No. | 63-7019-70 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPD65R650CEAUMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 910
USD: 5.71
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(10pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]IPD65R650CEAUMA1 N-Channel MOSFET, 10.1 A, 700 V CoolMOS CE, 3-Pin DPAK Infineon IPD65R650CEAUMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/7019/70/63701970.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)