ON Semiconductor

63-5089-03 [Dihentikan]PADA IGBT 15N60EG, 30 A 600 V, 3-Pin-TO-20 NGTB15N60EG

Fitur

  • IGBT Discretes, PADA Semikonduktor. Gerbang Bipolar Transistor (IGBT) untuk penggerak motor dan aplikasi peralihan tinggi lainnya.

Spec

  • Kuantitas: 1tas(2kepingan)
  • Maksimum terkini Pengumpul Berkelanjutan: 30 A
  • Voltase Pengumpulkan Maksimum: 600 V
  • Voltase Emitter Gerbang Maksimum: ± 20V
  • Pengeluaran Daya Maksimum: 117 W
  • Tipe Paket: KEPADA-220
  • Jenis Penpasang: Melalui Lubang
  • Tipe Saluran: N
  • Jumlah Pin : 3
  • Konfigurasi Transistor: Tunggal
  • Panjang: 10,28 mm
  • Lebar: 4,82 mm
  • Tinggi: 15,75 mm
  • Dimensi: 10,28 x 4,82 x 15,75 mm
  • Suhu Operasi Minimum: -55 ° C
  • KODE No.:773-7361
  •  
Perintah No. 63-5089-03
Model No. NGTB15N60EG
Harga standar JPY: 410 USD: 2.57
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Kuantitas 1bag(2pieces)
  Dihentikan
Saham di Jepang -