63-5069-52 FDB28N30TM N-Channel MOSFET, 28 A, 300 V UniFET, 3-Pin D2PAK PADA Semikonduktor FDB28N30TM
Fitur
- N-Channel MOSFET™, Semikonduktor Fairchild. UNFET™ MOSFET adalah keluarga MOSFET tegangan tinggi Fairchild Semiconductor. Negara ini memiliki hambatan terkecil di antara planar MOSFET, dan juga memberikan pergantian kinerja yang superior dan lebih besar kekuatan energi longsor. Selain itu, dioda ESD dari sumber gerbang internal memungkinkan UniFET-II™ MOSFET untuk menahan tekanan lonjakan HBM sebesar lebih dari 2000V. UniFET™ MOSFET sesuai untuk mengalihkan aplikasi pengonversi daya, seperti koreksi faktor daya (PFC), tenaga TV layar datar (FPD), ATX (Advanced Technology Research), dan tiang-tiang lampu elektronik.
Spec
- Kuantitas: 1tas(2kepingan)
- Tipe Saluran: N
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 28 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 300 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 129 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 3V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -30 V, +30 V
- Tipe Paket: D2PAK (TO-263)
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin : 3
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 250 W
- Dimensi: 10,67 x 11,33 x 4,83 mm
- KODE No.:759-8970
| Perintah No. | 63-5069-52 | |
|---|---|---|
| Model No. | FDB28N30TM | |
| Harga standar |
JPY: 1,040
USD: 6.52
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(2pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|