63-4996-98 [Dihentikan]SI4464 DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 1.7 A, 200 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4464DY-T1-GE3
Fitur
- N-Channel MOSFET, 200V sampai 250V, Vishay Semiconductor
Spec
- Kuantitas:1tas(5potongan)
- Tipe Saluran: N
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 1,7 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 200 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 240 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -20 V, +20 V
- Tipe Paket: SOIK
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor: Tunggal
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 1,5 W
- Suhu Operasi Maksimum: +150 ° C
- KODE No.:710-3333
| Perintah No. | 63-4996-98 | |
|---|---|---|
| Model No. | SI4464DY-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 680
USD: 4.27
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]SI4464 DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 1.7 A, 200 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4464DY-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4996/98/63499698.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)