63-4996-95 [Dihentikan]SI2308 BDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2308BDS-T1-GE3
Fitur
- N-Channel MOSFET, 60V sampai 90V, Visual Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1tas(20kepingan)
- Tipe Saluran: N
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 1,9 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 60 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 156 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -20 V, +20 V
- Tipe Paket: SOT-23 (TO-236)
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor: Tunggal
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 1,09 W
- Dimensi: 3,04 x 1,4 x 1,02 mm
- KODE No.:710-3257
| Perintah No. | 63-4996-95 | |
|---|---|---|
| Model No. | SI2308BDS-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 2,310
USD: 14.49
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(20pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]SI2308 BDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2308BDS-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4996/95/63499695.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)