63-4916-39 ［Dihentikan］IRF7821PBF N-Channel MOSFET, 13,6 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF7821PBF
Fitur
- N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon. Rentang infineon dari energi HEXFET® MOSFET termasuk perangkat saluran N dalam permukaan dan paket yang ditambahkan. Dan faktor-faktor bentuk yang dapat menangani hampir semua tata letak papan dan tantangan desain termal. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas:1tas(5potongan)
- Tipe Saluran: N
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 13,6 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 9 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 1V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -20 V, +20 V
- Tipe Paket: SOIK
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor: Tunggal
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2,5 W
- Waktu Penundaan Matikan Biasa: 9,7 ns
- KODE No.:650-4069
| Perintah No. | 63-4916-39 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF7821PBF | |
| Harga standar |
JPY: 550
USD: 3.42
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(5pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |