63-4865-92 [Dihentikan]IRF7416PBF P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF7416PBF
Fitur
- P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon. Rentang terpisah dari HEXFET® tenaga HSFET® Infineon termasuk perangkat saluran-P dalam jumlah permukaan dan paket yang ditambahkan dan bentuk faktor yang dapat mengatasi hampir semua tata letak papan dan tantangan desain panas. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas:1potongan
- Tipe Saluran: P
- Maksimum Aliran Berkelanjutan: 10 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 20 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2,04 V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: -20 V, +20 V
- Tipe Paket: SOIK
- Jenis Penpasang: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor: Tunggal
- Mode Saluran: Peningkatan
- Kategori: Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2,5 W
- Waktu Penundaan Saat Biasanya: 18 ns
- KODE No.:541-0143
| Perintah No. | 63-4865-92 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF7416PBF | |
| Harga standar |
JPY: 110
USD: 0.69
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1piece | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]IRF7416PBF P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF7416PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4865/92/63486592.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)